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晶振可靠性测试:崎岖温贮存试验

文章来源 : 广东尊龙凯时人生就是博检测 宣布时间:2023-09-28 浏览数量:

晶振可靠性测试:崎岖温贮存试验

高温试验是晶振在高温条件下事情一段时间后,评定高温对晶振的电气和机械性能的影响;或者长时间高温存储(不带电)后,评定晶振的质量稳定性,可参照标准GJB 360B.108 。

低温试验是长时间低温存储(不带电)后,评定晶振的质量稳定性,以及检测封装中足以对晶振爆发不良影响的剩余湿气,即通常的露点测试,可参照标准GJB 548B.1013.1 。

崎岖温贮存试验(High/Low Temperature Storage)袒露的故障来源于元器件外貌和内部的物理和化学变革,例如:密封问题,质料热胀冷缩问题,电性能爆发的变革等 。


情况可靠性测试-1.png


试验说明

高温存储试验:

事情温度: 125°C±5°C; 存储时间: 1000H±12H,不带电; 实验结束后24±2Hrs内进行电性能测试 。高温贮存试验可以使用“电热恒温箱”来进行试验,可参考标准MIL-STD-202 Method 108 。

低温存储试验:

事情温度: -55°C±5°C; 存储时间: 1000H±12H,不带电; 实验结束后24±4Hrs进行电性能测试 。低温贮存试验可以使用“低温试验机”,可参考标准JIS-C7021B-12 。


本试验对晶振的影响

高温存储试验:

晶体谐振器频率降低3.5ppm左右(5max),谐振阻抗增大3Ω左右±10%(5max); 晶体振荡器频率降低3.5ppm左右(5 max) 。

低温存储试验:

晶体谐振器频率降低2.5ppm左右(5max),谐振阻抗增大3Ω左右±10%(5max); 晶体振荡器频率降低3.5ppm左右(5 max) 。


公司外景.jpg


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